日前，长江存储宣布推出UFS3.1通用闪存——UC023。这是长江存储打造的一款旗舰级高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。
据介绍，UC023采用全新升级的晶栈2.0（Xtacking.0）技术的TLC3D闪存颗粒，设计和工艺得到了进一步的改良优化。
理论随机写入230K IOPS（SLC mode，开发板测试），顺序读取2000MB/s，顺序写入三个容量分别是950、1200和1250MB/s。
作为旗舰级UFS3.1闪存，UC023还具备如下特点：
1、搭载主机碎片化整理技术（HID），优化数据处理操作，节省更多存储空间；引入随机写性能优化机制，写入速度提升至230KIOPS，实现多个应用自如切换。
2、发挥极致读写性能的同时，仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿，设备待机时间显著增长。
3、UC023提供定制化产品开发服务与及时、专业、高效的技术支持；128、256和512GB三款存储容量，满足主流市场需求。
UFS3.1作为当下旗舰智能手机、平板的首选存储方案，可大幅缩短应用加载的等待时间，提升工作效率。
根据JEDEC2020年发布的标准，在加入了写入增强器（WriteBooster）、深度睡眠(DeepSleep)、性能调整通知（PerformanceThrottlingNotification）等技术后，UFS3.1理论带宽可达2.9GB/s，性能较eMMC5.1及UFS2.2有了大幅提升。
